О сайте

В теории малочисленный объем нанотрубок разрешит достичь очень высокой плотности проживания памяти. Умеренное пятно золота помещается на верхотуру нанотрубок одного из участков, гарантируя электрическое соединение, то имеются клемму. Это представляет состояние «0». В этот фактор умеренное напряжение, приложенное меж клеммой и верхним электродом разрешит току вольготно проходить нанотрубки являются проводниками , знача состояние «1». Трубки, попавшие в «неправильные» места, далее удаляются, а золотые клеммы помещаются наверх. Отточенность испoлнeния и объем машинной эпитаксии гораздо «больше», чем объем ячеек создаваемых иными способами. Однако, существует минимальный размер, при коем можно созидать DRAM-чипы, ниже коего легко не будет хватать заряда, кой ячейка сумеет сберечь для чтения. Однако, для перемены такого состояния изолятор вынужден иметься «перезаряжен» для удаления всякого заряда, хранившегося там. Флеш-системы для такого обязаны насчитывать в себе генератор «подкачки заряда», кой будет помаленьку скапливать энергию и давать ее при высоком напряжении. Тем не менее, две свежайших MRAM-технологии в настоящее время разместятся в разработке и поддерживают обещания разрешить лимитирование размера, оказывая MRAM больше конкурентоспособной даже по сопоставлению с флеш-памятью.