Статьи о 12 домов гороскопа том 2 самознание
Опросы
Подписка на Rss новости
При молекулярно-пучковой эпитаксии источником легирующей присадки банально является сама примитивная примесь.
Синтез соединений, имеющих большое давление паров летучего составляющая над расплавом, савершают в обликеокамерах высокого давления. Вытягивание монокристаллов неразлагающихся полупроводниковых материалов проводят в атмосфере Н2, пассивных газов или в условиях бездонного вакуума. Большее распространение этот способ возымел в технологии получения монокристаллов Si, имеющего относительно низенькую плотность и довольно большое поверхностное натяжение расплава. В случае когда при выращивании монокристаллов не получается возыметь слияние требуемого стехиометрического состава, кристаллы разрезают на пластины, кои подвергаются вспомогательному отжигу в парах недостающего компонента. Наращивание эпитаксиального слоя проводят или в режиме программируемого падения температуры, или из подготовительно переохлажденного расплава. Для Ge и Si ведущими донорными легирующими примесями являются элементы V гр. примеси деталей VI гр. Элементы IV гр. Ведущие характеристики более распространенных примесей в главнейших полупроводниковых материалах представлены в табл. Примесь вводится в расплав или в облике элемента, или в виде сплава с выданным полупроводниковым материалом 12 домов гороскопа той 2 самознание .
